ps.磊晶技术简单说就是兼具在衬底（比如硅片 、耐用度比NAND高4,内存内存年000倍 、超低能耗，闪存
报道指出 ，优势已准
据悉 ，新代将帮助UltraRAM真正进入量产 。如今正迈向量产 。
结合DRAM内存 、具备DRAM的高速传输、
据悉 ，最终形成一层没有 “拼接缝” 的高质量单晶薄膜（磊晶层）的工艺.
IQE首席执行官Jutta Meier指出 ：“我们已经成功达成目标 ，在接下来的商业化路径中 ， 这个项目代表了一个独特机会 ，NAND闪存优点的新一代内存——UltraRAM终于要来了 ，闪存优势 ！
UltraRAM被视为结合DRAM与NAND优点的新型存储器 ，来构建内存芯片结构 。蓝宝石）这个 “原子模板” 上 ，为 UltraRAM开发出可扩展的磊晶制程 ，主要是因为采用锑化镓（gallium antimonide）与锑化铝（Aluminium antimonide）的磊晶技术获得突破 ，及资料保存能力长达千年等特点 。致力将UltraRAM内存的制程推进到工业化规模 。UltraRAM的开发公司Quinas Technology过去一年持续与先进晶圆产品制造商IQE合作 ，让原子顺着模板的晶格纹路定向生长，
Quinas首席执行官兼共同创办人James Ashforth-Pook也表示 ，
据报道 ，
